近日，美国存储芯片大厂美光传出在华启动裁员行动，涉及嵌入式研发、测试、FAE/AE 支持等多个岗位，波及上海、深圳等地。
8月13日，美光正面回应称，此次调整是全球战略调整的一部分——由于移动NAND产品在市场持续疲软，增长低于其他NAND机会，公司决定全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5（第五代通用闪存存储）的开发计划。
美光强调，此项决策仅影响全球移动NAND产品的开发工作，美光将继续开发并支持其他NAND解决方案，如SSD和面向汽车及其他终端市场的NAND解决方案。美光还将继续在全球范围内开发和支持移动DRAM（内存芯片）市场，并提供业界领先的DRAM产品组合。
这也意味着，美光从移动NAND抽身转向利润率更高的SSD和车规NAND市场。移动NAND是一个高度竞争的红海市场，今年全球智能手机和PC市场需求疲软，导致移动NAND的毛利率不如其他细分市场。
NAND Flash即数据型闪存芯片，分为大容量和小容量。DRAM即动态随机存取存储器，具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。在计算系统中占据核心位置，广泛应用于服务器、移动设备、PC、消费电子等领域。
作为存储芯片大厂，美光也受益于当下人工智能带来的存储芯片需求。美光今年第三财季（2025年3月至5月）营收创历史新高，这得益于DRAM业务营收创历史新高，其中HBM（高带宽存储器）营收环比增长近50%；数据中心营收同比增长逾一倍，创季度新高；面向消费者的终端市场也实现了强劲的环比增长。
8月11日，美光科技上调了截至8月28日的第四财季收入和调整后利润预期。该公司目前预计该季度收入为112亿美元，上下浮动1亿美元，而此前的预测为107亿美元，上下浮动3亿美元；公司预计调整后的第四财季每股收益为2.85美元，上下浮动7美分，而此前的预期为2.50美元，上下浮动15美分；
美光还将第四财季调整后毛利率预期上调至44.5%，上下浮动0.5%，而此前的预期为42%，上下浮动1%。
美光表示，修正后的预测反映了价格的改善，特别是DRAM产品的价格改善。
美光首席商务官萨米特·萨达纳（Sumit Sadana）在行业会议上表示：“我们观察了全球所有不同的终端市场，价格趋势一直很强劲，我们在推高价格方面取得了巨大成功。”
