两位知情消息人士透露，中国存储芯片制造商长鑫存储技术有限公司（ChangXin Memory Technologies，简称 CXMT）计划最早于明年之一季度在上海启动首次公开募股（IPO），目标估值更高达 3000 亿元人民币（约合 421.2 亿美元）。
长鑫存储成立于 2016 年，背后有 *** 支持，是中国在全球 DRAM（动态随机存取存储器）市场抢占一席之地的核心力量 —— 该市场长期以来一直由日本、韩国和美国企业主导。
两位消息人士表示，作为中国领先的 DRAM 制造商，长鑫存储此次 IPO 计划募资 200 亿至 400 亿元人民币。
第三位消息人士补充称，公司目标募资额约为 300 亿元人民币，最早可能在 11 月向投资者披露招股说明书。
由于该计划尚未公开，上述消息人士均要求匿名。他们同时提醒，IPO 的具体细节（如时间安排、募资规模、估值等）可能会根据市场需求发生变化。
长鑫存储启动 IPO 计划之际，恰逢中国半导体板块股价大幅上涨 —— 截至目前，基准的中证半导体指数（CSI CN semiconductor index）今年以来已累计上涨约 49%。
今年 7 月，长鑫存储的母公司已启动 IPO “辅导程序”（企业上市前接受券商指导规范的流程），并聘请了国有投行中国国际金融股份有限公司（中金公司）和中信建投证券担任承销商。
不过，当时的披露信息并未提及公司将在何地、何时上市。
截至发稿，长鑫存储尚未回应置评请求。
其中两位消息人士表示，预计长鑫存储的 IPO 将吸引国内投资者的强劲需求 —— 这些投资者希望通过投资支持中国在半导体领域实现 “自给自足” 的目标。
为追赶韩国 SK 海力士（SK Hynix）、三星（Samsung）等市场龙头，长鑫存储正投入重金，尤其在高带宽存储器（HBM）领域加大研发与产能建设力度。
HBM 是一种特殊类型的 DRAM，对研发先进处理器至关重要（例如英伟达用于生成式人工智能的图形处理器）。
美国实施限止后，长鑫存储的进展对中国至关重要
2024 年 12 月，美国为阻碍中国人工智能产业发展，限止长鑫存储获取 HBM 芯片。此后，长鑫存储的技术突破与产能扩张，对中国而言变得愈发关键。
长鑫存储选择此时推进 IPO，也正值全球存储市场发生重大变化之际：
路透社上周报道，美国存储芯片制造商科技（Micron Technology）计划退出中国服务器芯片业务 —— 两年前，*以安全为由，禁止美光产品进入关键信息基础设施领域。
此外，全球范围内对人工智能芯片的生产热潮，正导致智能手机、计算机、服务器所用存储芯片的供应趋紧，这为存储芯片制造商带来了意外的增长动力。
加拿大研究公司 TechInsights 的数据显示，2023 年和 2024 年，长鑫存储的资本支出（capex）预计在 60 亿至 70 亿美元之间；若美国不进一步施加限止，2025 年其资本支出预计将增长 5%。
目前，长鑫存储正在上海（中国商业中心）建设一座 HBM 后端封装工厂，目标是在明年年底前投产。
第三位和第四位知情消息人士透露，该工厂 HBM 晶圆的初始月产能约为 3 万片，略低于韩国 SK 海力士产能的五分之一。
两位消息人士表示，长鑫存储计划在 2026 年实现第四代高带宽存储器（即 HBM3 芯片）的生产。
